Lors du Persistent Memory Summit à santa Clara, Sony a fait le point sur sa future technologie Cross Point ReRAM SSD. Cette technologie SSD portera les vitesses à un tout autre niveau, ce qui la rendra presque identique à celle des PC haut de gammes.



Sony s'attend à ce que la technologie ReRAM SSD devienne le principal concurrent d'Intel Optane et espère la commercialiser courant 2020. Selon le département Nikkei Tech : "La technologie ReRAM est destinée aux mémoires de classe de stockage (SCM), des mémoires non volatiles qui présentent une vitesse plus élevée que les mémoires flash NAND et comblent le vide entre les mémoires DRAM et NAND flash".

Le lecteur de 128 Go en ReRAM SSD de Sony vise les 25,6 Go/s en lecture et 9,6 Go/s en écriture, tandis que la version 256 Go double le Go/s en lecture et en écriture. La société japonaise a l'intention de porter cette technologie sur ses futures consoles pour se rapprocher de la performance d'un PC.



Sony souligne que sa mémoire ReRAM consomme moins d'énergie et peut être densifiée plus facilement que la mémoire à changement de phase (PCM) à point de croisement utilisée par l'Optane.

Pour se faire une petite idée, les vitesses de transfert des anciennes technologies :

-Les disques SSD PCIe gen4 x4 NVME dépassent actuellement les 5 Go/s.
-Les SSD PCIe gen3 NVME grand public sont d’environ 3 Go/s.
-Les SSD en SATA3 sont à 512 Mo/s.
-Le disque dur de la PS4 c'est au mieux 150Mo/s séquentiel, 40 Mo/s pour les petits fichiers.
-La PS3 c'était 22 Go/s en VRAM, 25,6 Go/s en mémoire système.
-La Xbox 360 c'était 21,6 Go/s en VRAM et 22,4 Go/s en mémoire système.
-La Nintendo Switch c'est 25,6 Go/s en mémoire système avec sa mémoire LPDDR à 1600MHz.
-La DDR4 sur PC :
DDR4 en 2133 c'est 17 Go/s - 2400 c'est 19,2 Go/s - 2666 c'est 21.3 Go/s - 3200 c'est 25,6 Go/s